Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН

Компания

Образование и наука
Россия
Центральный ФО РФ
Москва

Собственники:
Национальный исследовательский центр Курчатовский институт (Институт атомной энергии имени Курчатова)

Содержание

История
- 2023: Присоединение к Курчатовскому институту
- 1986-1998

СМ. ТАКЖЕ (5)

Конечные собственники

+ Правительство РФ

История

2023: Присоединение к Курчатовскому институту

Премьер-министр Михаил Мишустин подписал распоряжение о присоединении Института проблем проектирования в микроэлектронике (ИППМ РАН, Зеленоград) к Национальному исследовательскому центру «Курчатовский институт». Соответствующий документ опубликован 13 октября 2023 года.

Реорганизацию Центра и федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук осуществить в пределах бюджетных ассигнований, предусмотренных в федеральном бюджете на обеспечение их деятельности, - говорится в распоряжении.

НИЦ «Курчатовский институт»

Из него также следует, что название и основные цели работы ИППМ после присоединения к Курчатовскому институту не изменятся. В постановление указано, что Министерство науки и высшего образования РФ и Росимущество будут ответственны за проведение мероприятий, связанных с реорганизацией, в течение шести месяцев, сказано в документе.

Направления фундаментальных научных исследований ИППМ:

системы автоматизации проектирования в микро- и наноэлектронике;
методология проектирования интегральных схем и систем высокой сложности;
высокопроизводительные вычислительные системы.

Правительство Российской Федерации Распоряжение от 12 октября 2023 г. № 2815-р

1986-1998

Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН был создан в 1986 году. До апреля 1998 года действовал как Научно-исследовательский институт систем автоматизированного проектирования радиоэлектронной аппаратуры и сверхбольших интегральных схем РАН (НИИСАПРАН). Основные направления работы института - исследования систем автоматизации, математических моделей и методов разработки сложных систем в микро- и наноэлектронике, а также разработка высокопроизводительных микроэлектронных вычислительных систем, перспективных устройств в этой области и другие задачи.

Источник — «https://energo.tadviser.ru/index.php/%D0%9A%D0%BE%D0%BC%D0%BF%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%8F:%D0%98%D0%BD%D1%81%D1%82%D0%B8%D1%82%D1%83%D1%82_%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B1%D0%BB%D0%B5%D0%BC_%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B5%D0%BA%D1%82%D0%B8%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%B2_%D0%BC%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B5_%D0%A0%D0%90%D0%9D»