Toshiba TPH и TPN-серии МОП-транзисторы

Toshiba TPH и TPN-серии — линейки МОП-транзисторов.

2018

TPHR7904PB и TPH1R104PB

11 мая 2018 года компания Toshiba Electronics Europe объявила о выпуске двух МОП-транзисторов в миниатюрном корпусе с низким сопротивлением SOP Advance (WF) размерами 5 мм x 6 мм в качестве дополнения серии мощных МОП-транзисторов на 40 В с каналом n-типа для автомобильных устройств. Транзисторы TPHR7904PB и TPH1R104PB сертифицированы в соответствии с требованиями AEC-Q101 и предназначены для различных автомобильных систем, включая электроусилители рулевого управления (ЭУР), переключатели нагрузки, электрические насосы, вентиляторы и т. д.

МОП-транзисторы Toshiba TPHR7904PB и TPH1R104PB

МОП-транзисторы выпускаются с применением современного технологического процесса формирования канавки девятого поколения U-MOS IX-H в миниатюрном корпусе с низким сопротивлением и обладают низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) до 0,79 мОм (макс. значение при VGS=10 В), тем самым снижая потери проводимости. Устройства имеют номинальное напряжение между стоком и истоком (VDSS) 40 В и могут управлять током стока (ID) до 150 А постоянного тока. Применение технологии U-MOS IX-H также снижает шум при переключении, помогая снизить уровень электромагнитных помех.

В корпусе SOP Advance (WF) используется конструкция выводов со смачиваемой боковой поверхностью, позволяющая автоматически осуществлять визуальный контроль пайки на печатных платах, что является ключевым требованием обеспечения контроля качества в автомобильной промышленности, отметили в Toshiba Electronics Europe.TAdviser Security 100: Крупнейшие ИБ-компании в России 59.8 т

TPH3R70APL и TPN1200APL

22 февраля 2018 года компания Toshiba Electronics Europe заявила о расширении ассортимента МОП-транзисторов на основе двух устройств на 100 В, дополняющих серию низковольтных мощных МОП-транзисторов с каналом n-типа на основе технологии U-MOS IX-H. Устройства подходят для работы в источниках питания промышленного оборудования, а также в системах управления электродвигателями.

МОП-транзистор с каналом n-типа на 100 В (2018)

Устройства TPH3R70APL и TPN1200APL изготавливаются с использованием самого современного процесса формирования канавки низковольтных транзисторов U-MOS IX-H, позволяющего оптимизировать структуру элементов, и обладают самым низким в отрасли и классе сопротивлением в открытом состоянии: 3,7 и 11,5 мОм соответственно. Устройства обладают низким выходным зарядом (QOSS: 74 и 24 нКл), низким зарядом переключения затвора (QSW: 21 и 7,5 нКл) и поддерживают управление логическими уровнями 4,5 В.

По сравнению с существующими устройствами на основе технологического процесса U-MOS VIII-H вустройствах удалось снизить ключевые показатели, определяющие качество работы МОП-транзисторов в импульсных схемах, такие как RDS(ON), Qoss и RDS(ON), QSW.

TPH3R70APL выпускается в корпусе SOP Advance размером 5 мм x 6 мм и имеет допустимый ток стока (ID) 90 А.

TPN1200APL выпускается в корпусе TSON Advance размером 3 мм x 3 мм и имеет допустимый ток стока (ID) 40 А.

2017: TPH1R204PB

21 ноября 2017 года компания Toshiba Electronics Europe заявила о расширении ассортимента МОП-транзисторов на основе собственного технологического процесса производства полупроводниковых приборов с вертикальным каналом U-MOS-IX-H. Компания представила компактное устройство на 40 В со встроенным диодом с мягким восстановлением (SRD).

МОП-транзистор U-MOS-IX-H MOSFET, (2017)

Встроенный диод с мягким восстановлением в составе МОП-транзистора TPH1R204PB позволяет минимизировать импульсные напряжения, возникающие между стоком и истоком при переключении. Такой МОП-транзистор подходит для работы в синхронных выпрямителях на стороне вторичного напряжения импульсных блоков питания с жесткими требованиями к уровню электромагнитных помех.

Целевые области применения устройства:

• высокоэффективные преобразователи переменного тока в постоянный
• преобразователи постоянного тока,
• приводы электродвигателей, например, в аккумуляторных инструментах.

TPH1R204PB представляет собой устройство с каналом n-типа и максимальным сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) 1,2 мОм (при VGS = 10 В). Номинальный выходной заряд (QOSS) составляет 56 нКл. Устройство выпускается в корпусе SOP Advance размерами 5 мм x 6 мм x 0,95 мм.