Росэлектроника: OLED-микродисплеи

Продукт
Разработчики: Прогресс НИИ микроэлектронной аппаратуры (НИИМА), Объединенная приборостроительная корпорация (ОПК), Циклон ЦНИИ
Дата премьеры системы: январь 2022 г
Дата последнего релиза: 2022/04/01
Отрасли: Электротехника и микроэлектроника

2022: Разработка дисплеев

В конце января 2022 года стало известно о разработке первых российских микродисплеев на органических электролюминисцентных светодиодах (OLED). Их создали на предприятиях «Ростеха».

Как сообщает пресс-служба госкорпорации, экран размером 15,5х12,5 мм выдает изображение с разрешением 1280 х 1024 пикселей и шагом пикселей в 12 мкм. Устройство предназначено для индивидуальных средств отображения информации, таких как очки виртуальной, дополненной и смешанной реальности (VR/AR/MR), фото- и видеокамеры, а также наголовные и нашлемные видеомодули, тепловизионные прицелы и тепловизоры.

Разработаны первые российские OLED-микродисплеи

Опытно-конструкторские работы и освоение серийного производства OLED-микродисплеев выполнены ЦНИИ «Циклон» холдинга «Росэлектроника». Схемотехнические решения разработаны НИИМА «Прогресс», топология – НИИМЭ, а кремниевые 200-мм пластины со СБИС изготовлены компанией ПАО «Микрон», входящей в ГК «Элемент» (совместное предприятие Госкорпорации Ростех и АФК «Система»). В «Ростехе» также отметили, что технологии создания кремниевых микросхем управления и изготовления OLED-микродисплеев запатентованы и защищены режимами секрета производства «ноу-хау».

«
Нам удалось не только освоить сложнейшую технологию изготовления, но и добиться высокого качества выпускаемых изделий. Наше предприятие готово ежегодно выпускать до 5000 устройств, – сказал генеральный директор Объединенной приборостроительной корпорации Сергей Сахненко.
»

По его словам, благодаря новому проекту Россия вошла в пятерку стран в мире, которые владеют технологиями создания OLED-микродисплеев.

В «Ростехе» пояснили, что производство OLED-микродисплеев требует соблюдения повышенных требований к технологическому процессу: например, нужно соблюдать высокую точность обработки верхнего стека кремниевой сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) и нанесения многослойной OLED-структуры, толщина которой не превышает 100 нанометров.[1]

Примечания