Ангстрем приступает к созданию новых радиационно-стойких чипов

Анонс
Компания: Ангстрем (группа компаний)

«Группа «Ангстрем» начала техническую реализацию проекта «Ангстрем-плюс» по созданию на одном из предприятий современной линии производства радиационно-стойкой электронно-компонентной базы (ЭКБ) по технологии «кремний-на сапфире» и топологии 0,35-0,25 мкм на пластинах диаметром 200 мм.

Технологию «кремний-на-сапфире» начали использовать в радиационно-стойких космических и специальных изделиях 25 лет назад. Сапфир, используемый в качестве изолирующей подложки, имеет целый ряд преимуществ по сравнению с используемым в обычных изделиях кремнием, кремний-германием и арсенидом галлия. Микросхемы получаются более долговечными и имеют высокую сопротивляемость по отношению к радиации, что делает их наиболее подходящими для оборудования космической связи и навигации, а также инфраструктуры атомной промышленности. Кроме того у этих микросхем очень малый ток утечки, что позволяет достигать высокого быстродействия и малых значений потребляемой мощности.

За последние 10 лет предприятия «Группы «Ангстрем» накопили огромный опыт по разработке и производству радиационно-стойкой электронно-компонентной базы и стали признанным российским лидером в этой области. Новая линия будет отвечать самым современным мировым стандартам в области разработки и производства радиационно-стойкой ЭКБ. В настоящий момент на мировом рынке существует всего несколько компаний, освоивших подобное производство. Мировой лидер в этой области - корпорация Peregrine Semiconductor (Сан Диего, Калифорния) сегодня выпускает изделия по топологии 0,25-мкм на пластинах диаметром 150 мм.

В рамках технической реализации начато проектирование чистых помещений и необходимой для производства инженерии. Технический этап завершится в ноябре, а чистые помещения и вся необходимая инженерия будут построены к маю 2011 года. В октябре будущего года производство радиационно-стойкой ЭКБ будет запущено на новой линии. Мощность производства составит 50.000 пластин диаметром 200 мм в год. При производстве радиационно-стойкой компонентной базы будут использоваться только российские технологические материалы. Предприятия Роскосмоса уже ориентируются на этот проект и рассчитывают с помощью «Группы «Ангстрем» полностью закрыть свои потребности в современной радиационно-стойкой ЭКБ.

Проект «Ангстрем-плюс» получил полную поддержку государства: он был одобрен на заседании научно-технического совета Минпромторга, его поддержали отраслевые предприятия Роскосмоса (из письма Роскосмоса: «Федеральное космическое агентство заинтересовано в развитии радиационно-стойких интегральных микросхем… и поддерживает проект «Ангстрем-плюс»). В соответствии с поручением замминистра Промышленности и торговли Юрия Борисова, департамент радиоэлектронной промышленности Минпромторга рассмотрел и поддержал проект «Ангстрем-плюс», предусмотрев его бюджетное финансирование на 2011-2012 годы в рамках Федеральной целевой программы «Развитие ЭКБ и радиоэлектроники».

Расчетная стоимость проекта, включающего проектирование и строительство новой линии составляет 1 300 млн. рублей. По 50% этой суммы вложат в проект акционеры «Ангстрема» и государство через дополнительную эмиссию акций предприятия. В результате эмиссии доля государства в акционерном капитале «Ангстрема» увеличится до 40%. Для проведения проектных и технических работ по проекту, акционерами компании уже выделены необходимые стартовые финансовые ресурсы.

Как отметил генеральный директор ООО «Группа «Ангстрем» Филиппов Кирилл Борисович, «у нового проекта есть не только «государственная» составляющая, но и коммерческая. Сейчас мы уже наблюдаем наметившийся подъем в российской космической отрасли, в атомпроме и других отраслях, испытывающих потребность в элементной базе, устойчивой к серьезным внешним воздействиям. Мы, конечно, рассчитываем, что государство будет активно участвовать в этом проекте, но в тоже время обладаем необходимым финансовым ресурсом для того, чтобы реализовать проект самостоятельно за счет уже сформированных заказов от российских предприятий».