СМ. ТАКЖЕ (4) > ПРОЕКТЫ (1) <

Содержание

<b>Красников Геннадий Яковлевич</b>
Красников Геннадий Яковлевич

Биография

Родился 30 апреля 1958 года в Тамбове.

В 1981 году окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники по специальности «Автоматика и электроника»[1].

Научная деятельность

В 1990 году защитил кандидатскую диссертацию.

В 1996 году защитил докторскую диссертацию.

В 1997 году избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации (вычислительная техника и элементная база).

В 1998 году присвоено звание профессора.

Доктор технических наук, профессор.

В 2008 году избран академиком РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий (микро- и наноэлектроника).


В 1981 году работал освобожденным секретарем комитета ВЛКСМ НИИМЭ и завода «Микрон».

В 1983 году получил должность ведущего инженера лаборатории.

В 1984 году назначен начальником цеха завода «Микрон».

В 1987 году стал заместителем главного инженера предприятия «Микрон».

В 1988 году занял должность заместителя директора по производству, коммерческого директора завода «Микрон».

1998: Гендиректор «Концерн Научный Центр»

С 1998 года по 2000 год в должности генерального директора руководил ОАО «Концерн Научный Центр».

2000: Председатель СД «Концерн Научный Центр»

В 2000 году стал официальным директором и одновременно председателем Cовета директоров ОАО «Концерн Научный Центр».

В 2003 году получил должность генерального конструктора, научного руководителя ОАО «Концерн Научный Центр» (в 2004 г. переименован в ОАО «СИТРОНИКС»).

2005: Гендиректор «НИИМЭ и Микрон»

В 2005 году стал генеральным директором ОАО «НИИМЭ и Микрон», вице-президентом ОАО «СИТРОНИКС», руководителем бизнес-направления «Микроэлектроника» ОАО «СИТРОНИКС».

2016: Председатель СД «Микрон»

В апреле 2016 года Совет директоров ОАО «НИИМЭ и Микрон» своим решением назначил Гульнару Хасьянову генеральным директором «Микрона». Геннадий Красников занял должность председателя Совета директоров компании. Он также продолжает работать на должности генерального директора АО «НИИ молекулярной электроники». Будучи генеральным директором АО «НИИ молекулярной электроники», Красников занимается развитием научной школы в области исследований и разработки технологий создания интегральных микросхем.

Доля в акционерном капитале

С 29 июля 2009 года доля Красникова в капитале ОАО «СИТРОНИКС» увеличилась в результате опционной программы до 1,824% (ранее 1,726%).

На 4 апреля 2018 года Геннадий Яковлевич Красников работает на должности руководителя бизнес-направления «Ситроникс Микроэлектроника» концерна ОАО «Ситроникс», генеральным конструктором ОАО «НИИМЭ и Микрон», генеральный директор ОАО «НИИМЭ».

Достижения

В 2007 году вошел в состав Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию[2].

С 2010 г. - член Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».

Член Совета руководителей EMEA Leadership Council Глобального альянса производителей полупроводников (GSA).

Учредитель Некоммерческой организации «Фонд содействия развитию международного сотрудничества»[3].

Член редакционных коллегий журналов «Микроэлектроника» и «Электроника: наука, технология, бизнес».

В феврале 2012 года Геннадий Красников стал доверенным лицом кандидата в президенты Владимира Путина.

Заведующий кафедрой субмикронной технологии СБИС Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Национальный исследовательский университет «МИЭТ»[4].

Под его руководством защищено 3 докторских и 7 кандидатских диссертаций[5].

Член Попечительского совета Алфёровского фонда[6].

Член Совета некоммерческой организации «Фонд развития Центра разработки и коммерциализации новых технологий», утвержденной в рамках проекта по созданию иннограда Сколково[7].

Членство в РАН

С 30 мая 1997 г. - Член-корреспондент РАН (Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации (специальность - Вычислительная техника и элементная база).

С 29 мая 2008 г. - Академик РАН ( Отделение нанотехнологий и информационных технологий (микро- и наноэлектроника).

Общественная деятельность

Член Жюри на Собрании партнеров международного конкурса деловой журналистики «Pressвание», которое состоится в Общественной палата РФ 5 марта 2013 года[8].

Научная деятельность

Сфера научной деятельности: разработка и создание сверхбольших интегральных схем (СБИС), системная интеграция маршрутов их проектирования и изготовления на основе общих физико-технологических принципов, обеспечивающих унификацию этих технологий[5].

Экперт в области микро- и наноэлектроники, разработки конструктивно-технологического базиса компонентов вычислительной техники, создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемы обеспечения качества их промышленного производства.

Геннадием Красниковым создан комплекс оригинальных научно-обоснованных технических решений, охватывающих весь технологический маршрут изготовления КМОП микросхем, являющихся основой современной теории формирования элементной базы СБИС, где определены закономерности возникновения и поведения фоновых примесей, как по границам компонентов систем «металл-окисел-кремний», так и по всей системе в целом при изготовлении микросхем с минимальными топологическими размерами от 180 нм до 65 нм. Сформирована современная теория стабилизации электрических параметров интегральных схем[5].

Публикации

Автор 279 научных работ, 36 изобретений и разработок в области разработки микросхем – элементной базы современной вычислительной техники и электроники, 3 монографий. Научные работы посвящены созданию сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемам обеспечения качества их промышленного производства.

Монографии:

  • «Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов» (М.: Техносфера. В 2 т., 2002-2004);

  • «Система кремний-диоксид кремния субмикронных СБИС» (в соавторстве с Н.А. Зайцевым, М.: Техносфера, 2003) и другие[2].

Патенты

1) Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий - изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении приборов вакуумной микроэлектроники;

2) Состав газовой смеси для формирования нитрид танталового металлического затвора методом плазмохимического травления - изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии;

3) Способ химико-динамической полировки - изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений;

4) Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС - изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем;

5) Способ изготовления структуры кремния на изоляторе - изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе;

6) Способ получения гранул кремния высокой чистоты - изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов;

7) Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов - изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к полевым эмиссионным элементам с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов: к триодам, к диодам и к устройствам на их основе, полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов;

8) Способ получения кремния высокой чистоты - изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов;

9) Вакуумный интегральный микроэлектронный прибор и способ его изготовления - изобретение относится к вакуумным интегральным микроэлектронным приборам с катодами вертикального типа и обратным расположением электродов относительно подложки и устройствам на их основе: вакуумным интегральным схемам, вакуумным микроэлектронным переключателям токов, полевым эмиссионным дисплеям;

10) Матрица полевых эмиссионных катодов с затворами (варианты) и способ ее изготовления - изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к матрицам полевых эмиссионных катодов с затворами и устройствам на их основе: полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов[9].

Награды и звания

  • Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008).
  • Орден Почёта и Орден Дружбы (2014).
  • Лауреат Государственной премии РФ в области науки и технологий (2014)
  • Дважды лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники (1999 и 2009 годы).


1997 г. - награжден медалью «В память 850-летия Москвы»[2].

1996 г. - удостоен Серебряной медали Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'96».

1997 г. - удостоен Золотой и Серебряной медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'97».

2000 г. - удостоен 4-х Серебряных медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'2000»[5].

Интересные факты

В 1979 году, на 4-м курсе, он готовит свои первые научные работы. Выступая за МИЭТ, не раз занимает первые места на Всероссийских студенческих конференциях[2].

Увлечения

Увлекается фотографией, коллекционирует редкие фотоаппараты[2].

Семья

В браке. Супруга – Красникова Светлана Анатольевна (1963 г. рожд.). Сын, Красников Андрей Геннадьевич (1986 г. рожд.), магистрант Московского государственного института электронной техники.

Дочь, Полина (2003 г.р.).

Примечания